2N7002LT1G : MOSFET de commutation à canal N, 60 V, 115 mA, boîtier SOT-23

Fabricant : onsemi
Référence fabricant (MPN) : 2N7002LT1G
Catégorie de produit : MOSFET à canal N
Série : 2N7002L
Emballage / Boîte : SOT-23
Type de montage : Montage en surface
Conformité RoHS : Conforme à la directive RoHS
Statut du cycle de vie : Actif
Disponibilité : Vérifier la disponibilité
Délai de livraison : Contact pour les délais de livraison
Mode de livraison : DHL / FedEx / UPS

Le 2N7002LT1G d'onsemi est un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement pour petits signaux, destiné aux circuits de commutation à faible courant, de conversion de niveau et d'interface. Il offre une tension drain-source nominale de 60 V et un courant de drain continu de 115 mA. Son boîtier SOT-23 compact et ses faibles exigences en matière de commande de grille le rendent particulièrement adapté aux applications à commande logique.

Caractéristiques techniques du produit

Caractéristiques techniques	Détails
Fabricant	onsemi
Référence fabricant	2N7002LT1G
Catégorie de produits	MOSFET à canal N
Série	2N7002L
Type de transistor	MOSFET à canal N
Tension drain-source	60 V
Courant de fuite continu	115 mA
Courant de drain pulsé	800 mA
RDS (activé)	7,5 ohms maximum pour VGS = 10 V
Tension grille-source	±20 V
Température de jonction en fonctionnement	de -55 °C à +150 °C
Emballage / Boîte	SOT-23
Nombre de broches	3 broches
Type de fixation	Montage en surface
Statut du produit	Actif
Conformité à la directive RoHS	Conforme à la directive RoHS
Emballage	Bande et bobine

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